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薄膜プロセス

1 :THIN:01/12/15 01:13
薄膜プロセス。いろいろあります。
気相法、液相法が大きな分類としてそれぞれに数多くのプロセス
があると思います。これらのプロセスの比較、薄膜の評価法、物
性等いろいろ語り合いましょう。

とりあえず取っ掛かりとして代表的な圧電材料であるPZTの薄膜
作製プロセスについてそれぞれのプロセスの有利な点不利な点を
あげてみてください。

2 :名も無きマテリアルさん:01/12/15 01:59
2ゲット〜!!

3 :名も無きマテリアルさん:01/12/15 15:40
膜圧の均一性や製造プロセスのことを考えると結局
CVDが一番よいのでは?
研究段階ではスパッタもありで

うちで使っているPLDは最悪
リークが駄々漏れで製膜レートも製膜できる範囲もちいさすぎ

4 :名も無きマテリアルさん:01/12/15 21:08
>>3 いきなり結論でちゃったね・・・

5 :名も無きマテリアルさん:01/12/15 21:47
>>3
スパッタの方がいいぞ。
CVDは薬品の扱いがめんどくさい。
スパッタでも、装置や材料によるが、レートの高い物だってできる。
真空の方がコンタミも少なくできるし。

6 :名も無きマテリアルさん:01/12/15 23:54
っh

7 :名も無きマテリアルさん:01/12/16 00:31
>>5
んじゃぁなぜ,大々的に製品化していないのか?
確かにスパッタはよろしいと思うが。
スパッタにしてもゾル-ゲルにしても,強誘電体
薄膜の分野で注目を集めている(いた?)のに,なぜ
企業は積極的に採用しないのか?
そこらあたり聞きたいなぁ。

8 :名も無きマテリアルさん:01/12/16 02:06
>>7
何処までが大々的なのかは分からんが、スパッタは製品化されてるでしょ。
高レートの方法も実用化されてるしね。
設備投資が高くなるのでリスクがあるので、大量に消費されるもの限定に
なる傾向にはあると思う。
ゾルゲルは不良率が高くなるのが問題かなぁ。管理が微妙でめんどくさいし。

9 :7:01/12/16 02:26
>>8
なるほど。
1つ2つ質問。
>高レートの方法〜
こちらの不勉強なのだが,実際どのような方法?
強誘電体であるPZTの作製についてだよね?
参考程度でよいので,ぜひ教えていただきい。

10 :SCED:01/12/16 15:59
8さんが書いていますが、量産方法として採用されているのは、
スパッタとゾルゲル(MOD)ではないでしょうか?
確かに多元系酸化物の成膜方法としてはCVDが理想だとは思い
ますが、まだまだ未成熟。それゆえ、注目を集めているのにまだ
採用されていないという現実があるのだと思います。
 平坦化プロセスの適用では追い付かない高誘電率膜キャパシタ
においては、側面にも成膜する必要があるためにCVDが先に
採用されるのかもしれませんが(LSMOCVDかも。。。)

11 :おthinこ:01/12/16 19:32
LaNiO3の屈折率いくらかわかります?あと透明の高いものなの?おしえてドラえも〜ん

12 :>>11:01/12/16 20:34
なんのためにいるのか知らないけど,スレ違い。
図書館か論文あさりなさい。

13 :名も無きマテリアルさん:01/12/19 00:30
>>9
高レートの方法なら、
1.ターゲット面積を広くする
2.マグネトロンスパッタ
3.大電力投入(RF+DCの重畳)
なんかがあるが、コストがかかりすぎるのが難点。
酸化物をやるんだったら、ECRがいいぞ。
ECRはスパッタにもCVDにも応用できるし。

14 :9:01/12/20 01:36
>>13
レス遅れました。
ありがとうございます。勉強なります。
でもやっぱりコスト面で問題が出てくるのですね。
コストいえば,ゾル-ゲルならばMITSUBISHI MATERIALの
http://www.mmc.co.jp/japanese/corporate/news/news20000124.html
があります。

・・・・なんだかこのまま下がっていきそうな予感。

15 :名も無きマテリアルさん:01/12/20 19:09
ごめん、イオン焼けってなに?

16 :名も無きマテリアルさん:01/12/21 18:26
MBEが出てこないな。

17 :名も無きマテリアルさん:01/12/22 01:19
>>16
知識があるなら書いてくれ。
知ったかならsageてくれ。
建設的な意見を出して欲しい。

18 :16:01/12/22 03:29
>>17
そいつはすまなかった。
建設的な意見か・・・。

建設的かどうかわからんが、一つ。
半導体薄膜では2大手法になってるMOCVDとMBEだが、
実際のデバイス作製となると、Siでは専らMOCVD。

化合物でも、MOCVDがどちらかというと多いが、
MBEで量産してるところもある。
一般に量産性に劣ると言われるMBEだが、
MBEで量産してる企業等では、
どんな工夫をしているか、聞いてみたいかな。
詳細は無理だろうけど、

プロセスが決まった後の量産と言う面では
RHEEDにようなその場観察もあまり利点として
効いてこないだろうし。

19 :名も無きマテリアルさん:01/12/22 04:51
>>18
ロームがつくってる。
http://www.rohm.co.jp/news/densoken-j.html
詳しく聞きたがったが,案内のねーちゃんが技術でなかったよ。

20 :名も無きマテリアルさん:01/12/22 04:57

量産じゃねぇだろ。
シャープ辺りに聞いてみれ。

21 :19:01/12/22 05:05
>>20
そうなの?
ところで,あんた誰?

22 :19:01/12/22 05:09
これでは?
http://www.rohm.co.jp/news/dvd-j.html

ロームに固執するわけではないが。。

23 :名も無きマテリアルさん:01/12/23 17:57
MBE生産現場でやってます.
MBEしかできないもんって意外とあるのよ.
ロームは初めてMBEを生産に使ったというのが偉い.
ローム,シャープ以外にもやってるところあるよ.
例えばハイパワーレーザー(980nmのほうね)とかは酸素混入を下げられるMBEのほうが
MOCVDよりも性能が高くなる.普通はMOCVDのほうがはるかに楽だけど.

24 :LUMI:01/12/26 14:58
MBEの利点は、再現性の良さによる立ち上がりの早さ。
この利点を利用して、台湾系投資家がこぞってMBEを買って受託生産しているよ。
日本の空洞化はなんとかしなければ・・・。

25 :CPCD:02/01/01 05:08
CVDは基盤(母材)の大きさが
ある程度までに制限される気がするので、
重工業には向いていないと思う。
だから今の日本ではあまり普及しない感じ。
イメージのみの意見ですみません。

26 :名も無きマテリアルさん:02/01/06 01:44
>>25
文章見ればイメージのみの意見というのが良くわかります。
誰も気にしてませんから、お気になさらずに。

27 :名も無きマテリアルさん:02/01/06 02:37
>>26
ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ ハァハァ

28 :名も無きマテリアルさん:02/01/06 05:08
>>25
”イメージのみ”に突っ込んでるみたいだが,
あんたみたいに何も書いてないよりはマシ。

>>27
再来年こい。

んでCVDに詳しくないんですが,今でも大面積に
蒸着しようと思ったら,カナリなお金かかるんですか?

29 :名も無きマテリアルさん:02/01/10 23:39
>>28
CVDは蒸着と違うと思われ・・

30 :名も無きマテリアルさん:02/01/10 23:54
そんなおバカな28に突っ込まれている俺は
逝って良しですか by 25

31 :名も無きマテリアルさん:02/01/11 00:22
>>30
逝ってよし。

蒸着=物理的コーティング
CVD=化学的コーティング

32 :名も無きマテリアルさん:02/01/11 01:00

あっ、ゴメソ、俺26(=30)だった。
25, 28(=25?) が逝ってよしという事で宜しいか

33 :28:02/01/11 01:28
うん?
CVDは化学蒸着と漏れは習ったゾ。
単にコーティングと書いたほうがよかったのか?

http://www.google.co.jp/search?q=cache:vggfKhHib4UC:www-iter.tokyo.jaeri.go.jp/ITER6_12.htm+CVD%81%40%97p%8C%EA%89%F0%90%E0&hl=ja

34 :28:02/01/11 01:37
まぁこちらの間違いでいいから,実際に
今間近で実験してんでしょ?>>29-32
よければ質問に答えてよ。
専門が違うとほとんどわからないんだよ。
学会では聞くけど,いまいち・・・ね。
(煽りたいんじゃないよ。答えてくれそうだからね。)

35 :名も無きマテリアルさん:02/01/11 10:29

そもそも口の聞き方が判ってない厨房みたいだが
答えてやるとするか。「かかるYO!」

36 :CPCD:02/01/11 12:51
CVDは他の溶射や単純なめっきに比べると高い。
試験片作成を外注に出したところ、
プラズマCVDの直径50cmの釜での作成で
1バッチ100万円でした。
しかもこれは教授の紹介で頼んだもので
製作会社の儲けは無しだそうです。
今回はイメージではありません。

37 :29:02/01/11 20:41
>>35
そうですね。確かに口調がマズイですね。改めます。
特に>>26さん申し訳ないです。もし見ていたらレス
頂きたいです。

それでは質問を書き直します。
実際にCVDでは基板が制限されたり,そうでなくとも
大面積にデポジット(問題ないですよね?)する場合は
コスト面で問題が出そうなのですが,現在でもそう
なのでしょうか?
ただ以前からの問題なので,今現在は研究も進んで
おり,改善策が出てきているのでは?
と,聞きたかったのです。

こう書いてみると全然違いますね。申し訳なかったです。
もしよければ,ご教授お願いします。

38 :29:02/01/11 21:24
sageてしまいました。自分を晒しageということで。

39 :ゾルとゲル:02/01/11 22:37
CVDでは大面積化が難しいのでゾルゲル法で一気に成膜
って方法があるかと思いますが、ゾルゲル法は熱処理が必
要なため他のコンポーネントに影響を与える可能性があり
ますってかんじかな?

40 :名も無きマテリアルさん:02/01/11 23:43
CVDもプラズマから熱や触媒による分解方式や、
大気圧下での方法など改良が進んでいるし、その
うち半導体だけじゃなくて大型ディスプレイの製作
プロセスにも適用されていく模様。しばし待て。

41 :29です。:02/01/12 01:21
>>40
ということは様々な策が出てきてはいるが,現状では
やはり少々問題がある。あと数年?でなんとかはなりそ
うであるが。というふうにとってかまわないのですか?

あと,蒸着という言葉はCVDの場合当てはまらないのですか?
プラズマCVDの話を聞いてても,蒸着という言葉を使っている
人もいたのですが。

42 :名も無きマテリアルさん:02/01/12 01:24
>>40
1000mm角レベルの基板を使ってのTFT作製プロセスは
実験段階でならあるみたいだね。

43 :42:02/01/12 01:27
1の
>とりあえず取っ掛かりとして代表的な圧電材料であるPZTの薄膜
>作製プロセスについてそれぞれのプロセスの有利な点不利な点を
>あげてみてください。

見てなかったなあ。ははは。
TFTはPZTとは関係ないかな。

44 :CPCD:02/01/12 20:53
41=29さんへ
プラズマでも熱でもエネルギー形態に関係なく
化学気層蒸着の原理によるものはCVDです。
あと何年でメジャー(?)になるかは
不明ですが、
現在研究者が少なすぎるようです。
何か、インパクトのあるトピックスが無いと
難しいでしょう。

ところで、3年位前にTi薄膜で
光触媒を利用した
ホンダ-フジシマ効果の講習会に行きました。
最近新聞にも掲載され、一般的に認識されるように
なった様ですが、
これにはCDVは関係あるんでしょうか。
研究されている方がいらっしゃいましたら
是非お教え下さい。

45 :そじん:02/01/12 21:45
薄膜って結晶なん?

46 :名も無きマテリアルさん:02/01/12 21:48
>>41
コストに関しては、CVDって言ったって半導体デバイス
に使うような薄くて精密にコントロールされたものから、
大型素材への単なる(厚膜)コーティングまでいろいろあ
るからさ、一概には言えないよ。基本的には温度上げた
チャンバーに原料ガス入れて化学反応させるだけだ。人件
費、原材料費、設備償却費なんかは研究とは別の次元だし、
何をどれだけ造るかによってコストなんか桁が変わる。

誰かも言っていたけど、「蒸着」とは物理蒸着(PVD)を意味
するようになっているから紛らわしいんだよ。「製膜」って
良く使うけどな。

>>44
CDVには関係無い、CVDにも関係無い。
光触媒の根本原理の理論を本多-藤嶋効果という。
30年前の話し。(・・・って講習会逝ったんだろうが)

47 :名も無きマテリアルさん:02/01/12 21:51
>>45
結晶の薄膜もあれば、非晶質の薄膜もある。
(出来ると思うが準結晶の薄膜はあまり聞いたことが無い)

48 :29:02/01/12 21:56
>CPCDさん
なるほど。蒸着って書いても問題なしのようですね。
研究者によって深いこだわりがあってと思い,しつこく聞いてみました。
??なんで違うっていう書き込みがあったんだろう??

CVDで光触媒用途のTiO2薄膜(ですよね?)・・・これも興味深いです。

>45
アモルファス,多結晶,単結晶色々ありますよ。

49 :そじん:02/01/12 22:06
>>47-48
ありがd♪

50 :29:02/01/12 22:11
っと。清書して書いてる間に色々と・・・・。
>>44
了解しました。
基本原理は理解しているのですが,言葉の使い方は分からないですね。
つまりは蒸着=PVDですね。
逝ってよしと書かれたのは正直納得いかないですが。

51 :そじん:02/01/12 22:14
>50
にゃはははは、舞ってよし、喰ってよし、斬ってよし〜♪

52 :名も無きマテリアルさん:02/01/12 22:15
>>48
蒸着は>>46にも書かれているが、あまり宜しくない。
どうしても使いたければ「化学蒸着」と使うべし。
あと、あまりレベルの高くない人(材料的に厨房)の
言うこと、書くことを正しいと思わないこと。

53 :そじん:02/01/12 22:28
>52
和紙もときどき使うよ〜。
煽ったり知ったかぶったりすると恐ろしく早く正確な情報が入ってくるんだよね。

54 :29:02/01/12 22:57
あ。50での書きこみは44へのレスではなくて,
>>46でした。なんかいらないこと書いてますし。
聞き流しておいてください。

55 :名も無きマテリアルさん:02/01/13 00:38
CVDはガスの処理が面倒だ。まぁ材料によるけど。
蒸着やスパッタの方が装置も安く済むよね。

よほどの膜が必要でなければPVDで良いでしょ。

半導体のガスなんか匂いかいだ時にはもう死んでいる
ってのもあるらしいね。知らんとか痔ボ欄とか、そう?

56 :親切な人:02/01/13 02:10

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57 :名も無きマテリアルさん:02/01/13 03:40
MOガスはコワイ。

58 :29:02/01/13 07:11
おはようございます。>>51
??
>>52
すると,29での書きこみも問題ないわけですね?
CVDでも蒸着の過程があるわけで,CVDと断っていますから。
コレ以上かくとまた叩かれそうなので,やめときます。

59 :28:02/01/13 07:29
ひぁぁぁぁ!
私今まで29で書きこんでましたけど,28でした。
上も寝ぼけて変な文章だし。
はずかしぃ。鬱だ。

60 :名も無きマテリアルさん:02/01/13 12:36
>>57
PH3萌え。

61 :名も無きマテリアルさん:02/01/13 14:45
>>60
も、萌えってアンタ・・・(w
シラン、アルシンは駄目なのか?

62 :そじん:02/01/14 11:20
シラン(゚Д゚)モエー

63 :名も無きマテリアルさん:02/01/14 16:45
チョット待て。
萌えって、「燃え」たらかなりヤバイだろ。

64 :生あるしん:02/01/14 17:39
シラン萌えるとガラス粉が舞うのがやばいらしいね.肺にズキズキ刺さる・・・
着火したシランボンベを下手に締めると爆発するんで燃やしきるのがいいらしいが・・・

65 :そじん:02/01/14 18:44
10年ぐらい前に大阪の大学でシランの年少実験やったんだよね。
2人ほど完全年少したそうな。。。

66 :名も無きマテリアルさん:02/01/15 18:46
光CVDとかプラズマCVDはどこまで実用化されているのでしょうか?

67 :大損:02/01/30 23:31
だれか酸化物の蒸着やスパッタリングの際に、
反応性ガスとしてオゾンを使っている人はいま
せんか?

オゾンのガスボンベって無いよね。やっぱり。

68 :Pet:02/01/31 12:09
>>67

やっぱO2じゃない?

昔、TiCNなどの炭窒化膜の成膜するときに、
反応性ガスとしてシアン系ガス使えないかなーと考えたことあるな。

69 :大損:02/01/31 23:48
>>68

O2だと絶縁性の高い膜が作れないんです。。

で、特許を探していたら、オゾンを一割ほど混ぜるようなことが書いて
あったんですが。。

オゾナイザーをつけるしかないのかなぁ。

ところで、QマスでO2とO3の比率って調べられるんでしょうか?

70 :名も無きマテリアルさん:02/02/01 00:02
シリコン基盤に3C-SiCの結晶成長してるとこって最近はないのですか?
後、炭化珪素ってシランとプロパン以外考えられないの?


71 :Pet:02/02/01 17:32
>>69

基板加熱してる?

72 :大損:02/02/01 23:40
してるさ。300℃で。

でもピンホールが多いみたい。

73 :名も無きマテリアルさん:02/02/02 23:46
>>70

厨房ですみませんが教えてください。

6Hや4H-SiCをアモルファスでなく成膜したいのですが、
スパッタや蒸着でできますか?

それから基板がアモルファスなものだと、膜もアモルファスに
なってしまうのを避けることはできますか?


74 :CPCD:02/02/04 20:26
>>大損さん
ピンホールが多いというのは
どの様に評価されているのですか?
SEMでの目視検査ですか?


75 :大損:02/02/05 00:09
>>74

ピンホールはSEMでも見えるのですが、評価はとしては、実際に
電圧をかけて行っています。今のところ3ミクロンで50V程度まで
行きました。

それ以上かけると、膜が火を噴いてしまいます。

どうなんでしょうか?

76 :スパタリング:02/02/05 16:59
>>75
装置は何?
スパッタだったら、ICPやECRでO2プラズマを活性化させればいい。
あと、Heを少量まぜてペニング電離の効果を期待するのもよろしいかと。

77 :CPCD:02/02/05 17:44
>>75
電気的評価を行っているのですね。
具体的にどのように行っているか
分からないのですが、
絶縁性の評価では電圧の高さより、
電流を測定した方が良いように思うのですが。
一定の電圧を印加し、
膜が無い時の電流量と、膜がある時の電流量の
割合でピンホール(貫通型)の評価が出来るのでは。
絶縁性の評価なら、電圧と電流が分かればオームの法則で
抵抗もでるし。
それともこんな理論は関係ないくらい絶縁性が高いのでしょうか。

78 :大損:02/02/05 21:38
>>77

言っている意味が理解できていないのですが、
もう少しやさしく教えてください。

実際に私がやっている実験では、絶縁膜を金属膜
でサンドイッチにして、そこに電圧をかけています。
このとき、例えばデジボルの抵抗測定モードで測る
と、絶縁膜が容量を持つようにはたらくので、テスタ
ーのCR時定数に従って、電流値が段々少なくなっ
ていきます。

その次にこんどは、DCソースを持ってきて、電圧を
上げていきました。すると50V程度でスパークが起
きてしまいました。


・・・と言うことですが、いかがですか?


ここまで来てなんですが、要するに絶縁性というより
耐圧の高い膜を作りたい、ということなんです。

ちなみに成膜にはEB蒸着を用いています。
半導体分野では無いので、古典的な方法を使ってい
ます。。


Qマスの件はどうでしょうか?

79 :名も無きマテリアルさん:02/02/06 13:50
QマスでO2とO3の測定は基本的にできるんじゃない?
動作圧力に注意。EBやっている圧力なら平気か。


80 :名も無きマテリアルさん:02/02/08 21:40
Veecoの装置使えよ。

81 :名も無きマテリアルさん:02/02/08 23:38
>>80

何ですかそれ。

82 :名も無きマテリアルさん:02/02/14 23:57
上げろ.

83 :名も無きマテリアルさん:02/02/27 23:48
Veecoは何を専門に扱ってるの?

84 :名も無きマテリアルさん :02/02/28 01:41
STMのプローブ

85 :名も無きマテリアルさん:02/04/11 18:16
スパッタの成膜速度に安定性が無い!
あ〜 1時間でできる時もあれば今日なんか3時間半もかかりやがって!
たかだか0.4μ積むのにそんなに時間かかるなよ!


86 :名も無きマテリアルさん:02/04/12 01:28
>>85
プロセスきちんと制御しているか?
背圧、製膜時圧力、基板温度、投入電力など。
日によって違うなんておかしいって

87 :名も無きマテリアルさん:02/04/30 14:54
>>83
http://www.veeco.co.jp/


88 :名も無きマテリアルさん:02/05/16 20:07
>>86
全部いつもと同じれす
ターゲットが死んでるのかとも思われ

89 :名も無きマテリアルさん:02/05/19 02:54
半導体プロセスの仕事をしたいと考えている電子工学専攻の学生です。
学べば学ぶ程プロセスの領域は化学の領域ではないかと思われてなりません。
実際、現場では化学を専攻してきた人達が多いのでしょうか?
企業側としても回路設計者として期待しているようですし、
先輩は一年目はプロセスに配属されたが二年目からは回路設計にまわされたと聞きました。
現場で働いている方がおられましたら教えていただけないでしょうか?

90 :名も無きマテリアルさん:02/05/19 03:16
>>89
化学だけではアウト。
物理だけでもアウト。
まずは、物理と化学。
広い意味で材料系は両方必要ですな。

91 :89:02/05/21 04:04
プロセス開発を行う仕事に就きたいと考えています修士2年です。
修士で就職しようと思えば学校推薦を利用して大手メーカーには入れますが配属先は企業にお任せといった感じがします。
博士に進学し専門性を養ってから就職しようかとも考えていますが博士だとコネがないと就職が不利になると聞きました。
博士の就職活動は厳しいのでようか?
教えて下さい。



92 : ◆LiEca5zw :02/05/21 04:15


93 :名も無きマテリアルさん:02/05/30 23:16
>>91
>博士の就職活動は厳しいのでようか?
一般には厳しいというが、人によりけり。
楽な人は楽。ダメな人はダメ。
明暗くっきり。
確かにコネは無いより、あった方がいい。
コネは自分でつくることも必要。

コネと一言でいうが、
ダメな人はコネがあっても生かせない。
つか、紹介や仲介も取ってもらえない。
研究だけではなく、人付き合いも大事。

94 :名も無きマテリアルさん:02/06/18 01:35
ジョバンのエリプソはどう?こんど買う予定なんだけど


95 :元某企業研究者:02/06/18 12:31
>>89
> 実際、現場では化学を専攻してきた人達が多いのでしょうか?

半導体の製造工程にいる人は化学屋がほとんどかな。
今の工程で問題となるのは金属汚染と発塵。
あとシリコン表面の酸化膜とか有機物。
化学屋の強い分野だね。

でも、工程を維持するのと新しく作るのは違うよ。
新規工程とか新規製造装置の開発は物理屋や材料屋も多い。
というか機械、電気、電子、金属、物理、化学いろんな方面のアプローチが必要。
一人で全部ってわけにはいかない。

あと、自分が何に向いているのかっていうのは、
本人よりも周りのほうがよく見えていることもあるよ。
この方面は違うと思っていても、
実際にその仕事をあてがわれてみると、
天職だと気付くときもある。
若いうちはいろんな可能性があるんだから、
これしか出来ないと自分の可能性を狭めないほうがいい。



96 :元某企業研究者:02/06/18 12:33
>>91
> 博士に進学し専門性を養ってから就職しようかとも

現時点での話だけど、日本の企業は大学の教育にそれほど期待していない。
専門性は社内で養う。
大企業だと社内で論文博士を結構取らせてくれる。

博士過程の学生を取りたがるのはむしろ社内の人材育成が出来ていない企業だね。
外資とか中小。
しかし、企業の期待と本人の適性が矛盾して不幸になったりする。

研究がしたいなら大学に残る(博士号必須)か企業の研究所に入る。
しかし、今半導体関係はどこも研究費削られているだろう。
経営者が真っ先に削るのは研究費。
今日の飯は工場と営業が作る。
研究所は明後日の飯と人材の一時保管場所。
最近大手企業の研究所から大学に移った人は多いよ。

ただし、昇進とか昇給を考えると研究より現場が有利。
今は気にしてないかもしれないけれど、結婚して家族が出来て、
家だとか子供の教育とか考えると金の問題は重要だよ。
それでも研究に打ち込んで歴史に自分の名前を残したい、
というなら、あえて艱難辛苦の道を歩むのも君の人生。


97 :?3?^?e´?AE?????O`:02/06/18 12:36
× ただし、昇進とか昇給を考えると
○ それに、昇進とか昇給を考えると

98 :元某企業研究者:02/06/18 12:38
97だけど、名前が文字化けした。



99 :MO:02/06/19 19:34
半導体の話です。
いきなりですが質問よろしいでしょうか??
InGaAlPの四元でLEDの薄膜を生成する場合、ウエハーと生成膜のマッチングを
格子不整合率というらしんですが、これはどういう意味でしょう?格子とは?

100 :名も無きマテリアルさん :02/06/20 00:35
>99
格子とは結晶格子のこと。
基板と膜で材質が異なれば、原子の大きさが違うから、界面が
「不整合界面」になるでしょ。格子定数の違いの度合いが不整合率。

101 :名も無きマテリアルさん:02/06/21 00:11
InGaAlPってSiCと格子整合とれるのかなぁ?

102 :MO:02/06/21 06:01
>>100
ありがとう。簡潔でよくわかりました。なるほどねー。
>>101
GaAsか、InAlPの上にしか成膜したことないから・・。解りません・・。



103 :100:02/06/21 09:23
>102
これからはマルチポストやめれ。

104 :名も無きマテリアルさん:02/06/25 00:52
>>103
かちゅーつかえYO

105 :名も無きマテリアルさん:02/07/23 02:18
なんでだYO!

106 :名も無きマテリアルさん:02/08/04 13:15
化学って言っても、有機と無機では全く違うがね......


107 :名も無きマテリアルさん:02/10/24 15:15
SiCを低温で成長したひといます?

108 :名も無きマテリアルさん:02/10/24 19:04
age

109 :名も無きマテリアルさん:02/10/24 20:54


スパッタでもCVDでも1Åの精度で作ってるぞ


110 :名も無きマテリアルさん:02/10/25 09:25
やたら成長速度が遅いそうだねえ。
速くするとすればどんなもん?

111 :名も無きマテリアルさん:02/10/25 13:41
プラズマCVDの読み物無いですか?

112 :Applyed Physics:02/10/26 05:14
誰か半導体へテロ接合のアニーリングによる影響を調べた方はいますか?

113 :名も無きマテリアルさん:02/10/27 22:06
光学薄膜を蒸着で作っているのですが、最近の蒸着屋の転職状況について教えてくだされ。


114 :名も無きマテリアルさん:02/10/30 00:11
液晶ディスプレイのプロセス技術者になって7年。
未だにどうしてこんな薄い板に絵や画像が出るのかが分かりません。

115 :.:02/11/03 21:34


116 :山崎渉:03/01/06 15:44
(^^) 

117 :名も無きマテリアルさん:03/01/13 01:53
いまだに実験室でシラン使ってるとこあるの?


118 :名も無きマテリアルさん:03/01/13 03:08
>>117
そんなの知らん

119 :名も無きマテリアルさん:03/01/13 17:30
>>117
うちもしらん

120 :名も無きマテリアルさん:03/01/15 02:02
>>117
誰もしらん

121 :名も無きマテリアルさん:03/01/16 02:52
なぜか最近の論文にもシラン、ジシラン、トリシランがいぱーい出てくる。

122 :名も無きマテリアルさん:03/01/16 15:52
電子線で...。

123 :名も無きマテリアルさん:03/01/18 22:43
>>112
調べまくりです

124 :名無しさん@1周年:03/01/19 14:59
この業界の都市伝説かもしれんが。。。

PE-CVDやってる奴は男の子が生まれないって
ことないか?漏れの周りは生まれたの女の子ばかり
だったんだが。。。
電磁波浴びまくり、チャンバ開けてケミカル
吸いまくりの影響かとおもうんじゃが。

で、先日漏れは仕事やめた。もう半導体とは
距離をおくことにした。

125 :名も無きマテリアルさん:03/01/20 20:00
>>124
うちには
X線測定で女しか産まれない
ならある

126 :幹部社員様@F通電デバ:03/01/22 22:39
薄膜〜?
何だ、そりゃ
ひゃっひゃっひゃ、こりゃ傑作

127 :名も無きマテリアルさん:03/02/03 11:05
InAlPって何に使われてますか?
InGaAlPのクラッド層ぐらいしか用途が見当たらないんですけど・・・

128 :山崎渉:03/04/17 09:39
(^^)

129 :山崎渉:03/04/20 04:14
   ∧_∧
  (  ^^ )< ぬるぽ(^^)

130 :名も無きマテリアルさん:03/05/06 01:28
これからはレーザーアブレーション!

131 :名も無きマテリアルさん:03/05/06 09:58
http://homepage3.nifty.com/coco-nut/

132 :名も無きマテリアルさん:03/05/16 13:20
>>124
それは有名な伝説ですね。プロセス技術者全般に女の子が多い
らしいとか言われています。
この伝説の怖いところは、学会なんかで話すと、どの企業の人
も同意すると言うか、統計的に自然発生していると思われる点
です。
プロセスに依存して、女の子率が高いので、それに関してある種の
ジョークがあります。
要点は、では回路設計屋さんはどうか、と言う物です。
答えは、男の子も生まれる、その心は、大抵リソに張り付いている
から、だそうです、最近はどうなんでしょう。

133 :名も無きマテリアルさん:03/05/16 13:24
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134 :名も無きマテリアルさん:03/05/16 15:33
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135 :名も無きマテリアルさん:03/05/16 21:14
>>125
オレもそれ聞いた事ある。染色体をなんとかとか言ってた。
教授が女ばっかり産むからか。

136 :名も無きマテリアルさん:03/05/17 21:18
そんな話があるのか・・・

137 :名も無きマテリアルさん:03/05/18 21:36
137

138 :名も無きマテリアルさん :03/05/18 23:52
138

139 :かおりん祭り:03/05/19 00:15
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140 :山崎渉:03/05/21 21:47
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―

141 :山崎渉:03/05/21 23:47
━―━―━―━―━―━―━―━―━[JR山崎駅(^^)]━―━―━―━―━―━―━―━―━―

142 :名も無きマテリアルさん:03/05/22 21:53
142

143 :名も無きマテリアルさん:03/05/28 01:33
MOCVD、MBE装置っておいくら程度?

144 :名も無きマテリアルさん:03/05/28 03:35
ざっと 1 億くらい。

145 :山崎渉:03/05/28 14:30
     ∧_∧
ピュ.ー (  ^^ ) <これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  =〔~∪ ̄ ̄〕
  = ◎――◎                      山崎渉

146 :名も無きマテリアルさん:03/05/30 02:41
146

147 :名も無きマテリアルさん:03/05/30 23:38
あなたが探してる話題あれはこれでしょ♪
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148 :名も無きマテリアルさん:03/05/31 00:12
ミスフィット

149 :名も無きマテリアルさん:03/05/31 00:15
おすすめ
http://nigiwai.net/windstorm/


150 :名も無きマテリアルさん:03/05/31 02:58
http://www.necsan-ei.co.jp/general/seihingun/kougyou/prokougyou_f1.htm

151 :名も無きマテリアルさん:03/05/31 22:18
150

152 :名も無きマテリアルさん:03/05/31 23:00
PBIIどう?

153 :直リン:03/06/01 00:23
http://homepage.mac.com/yuuka20/

154 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 00:57
>>144
そうなんですか。
中村修二氏がMOCVD装置を改造したなんていうけれど、
普通に考えたら贅沢な環境だったってことなんですかね?

155 :144:03/06/01 03:30
>>154
中村さんの著書のどっかに、当時の日亜の企業規模からするとかなり
大きなお金を投資してもらった、ということは書いてありましたね。

で、中村さんのすごいとこは、その実験装置をどんどん自分で改造
していったとこだと思いますね。普通のセンスでは実験装置の改造
って最低月単位はかかりそうなもんですが、自分で旋盤回しながら
ほぼ daily で改造してったそうです。


156 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 09:19
>>155
ありがとうございます。
旋盤回…研究者でありながら職人としての力量が凄まじかったのですね。
少なくとも、大学で与えられたものだけ勉強しているような
受身の態勢ではイカンという教訓にもなりますね。

157 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 12:27
http://life.fam.cx/mfg/





158 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 13:20
MOCVD装置の肝はリアクタ。中村さんは自分で石英をバーナーで
加工してリアクタを改造したとこがエライ。

159 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 14:40
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160 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 15:46
H2漏れとか考えると、死が間近に・・・

161 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 20:40
TMGのバルブあけるとき、ドキドキ...

162 :_:03/06/01 20:48
http://homepage.mac.com/hiroyuki43/jaz09.html

163 :名も無きマテリアルさん:03/06/01 21:07
H2が漏れたらどれくらいの被害になるのか?
研究室吹き飛ぶかな?

164 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 14:05
交互吸着膜法はどうですか?

165 :動画直リン:03/06/02 14:22
http://homepage.mac.com/hitomi18/

166 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 14:26
★クリックで救えるオマ○コがあるらしい★
http://yahooo.s2.x-beat.com/linkvp/linkvp.html

167 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 15:06
基板洗浄って、どうしてます?

私んとこは、シリコン基板では中性洗剤でよーく洗い、
2〜3回蒸留水で超音波洗浄、2〜3回有機溶媒で超音波洗浄、
で最後に有機溶媒で煮沸させて、一気に基板を取り出すことに
より表面の膜(酸化膜ではない、単なる汚れ)をとり、
すぐにチャンバーのN2パージしたルームに入れて、
セットするんですが。

シリコンでは、どんな洗浄方法があるんでしょうか?
ちなみに、私んとこは、クリーンルームではやってないんです。
完璧な洗浄方法は、やはり酸を使うことなのでしょうか?

168 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 18:15
>>167
焼かないの?シリコン使ってないからわかんないけど

169 :動画直リン:03/06/02 18:22
http://homepage.mac.com/hitomi18/

170 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 18:30
>>167
フッ酸使うんじゃないの。

171 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 21:26
ネットでバイトだとさ。1000円もらえるらしい。
http://nigiwai.net/windstorm/


172 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 21:38
うちも基板洗浄に頭悩ませてて
シリコンはやっぱフッ酸使うのが正解?
石英はセミコクリーンってやつ使ってるけど

173 :名も無きマテリアルさん:03/06/02 23:16
TEOSって、なんであんなに膜が不安定なんだ?

174 :名も無きマテリアルさん:03/06/03 00:09
フッ酸はSiエッチングするから最強。
ただし非常にキケン。カクカクブルブル...

175 :名も無きマテリアルさん:03/06/03 03:39
>>167
http://www.uvsor.ims.ac.jp/beamline/bl2b1/eico/guidebooks/cleanSisurface.html
とかどうすか。


176 :名も無きマテリアルさん:03/06/03 23:21
167です。いろいろアドバイスをありがとうです。

薄膜で、装置の試運転って感じで、シリコン基板に純鉄を
PLD(パルスレーザー)法で付けてみました。

洗浄って人によって違うんですよね。
MOCVDやってる人は、クリーンルーム内だからでしょうか、
へたに洗浄するのは良くないと言って、そのままチャンバーへ
入れる人もいれば、
有機溶媒を使う人もいれば、窒素ガンを使う人もいれば、
フッ酸という恐ろしい物を使う人もいれば…。

なかなか難しいものです。


177 :名も無きマテリアルさん:03/06/03 23:24
◆クリックで救える○○○○がある◆
http://yahooo.s2.x-beat.com/linkvp/linkvp.html

178 :名も無きマテリアルさん:03/06/03 23:26
PLDでエピ成長むずいのはほんと?
レーザーだとターゲットから板状にはがして飛ばすんで
緻密なものは望めないって言われたんけど
PLDのほうが安定して稼動できそうだからPLD
使いたいんだけど

179 :名も無きマテリアルさん:03/06/04 19:43
PLDでは、大体メタルだと、1時間にどれぐらいの厚さの膜が
つくんでしょうか?

180 :名も無きマテリアルさん:03/06/04 23:04
>187 PLDって何の略ですか?

181 :直リン:03/06/05 00:23
http://homepage.mac.com/yuuka20/

182 :名も無きマテリアルさん:03/06/05 00:30
>>180

pulse laser depositionです。
パルスレーザーを、膜にしたい物質にあてて、レーザーのエネルギー
を使って、物質を瞬間的に分子をばらばらにして、基板へ蒸着
させる方法です。

183 :名も無きマテリアルさん:03/06/05 00:59
o((=゜♀゜=))oここで2ちゃんねらはオチンチンを鍛えなさい
http://homepage3.nifty.com/coco-nut/

184 :名も無きマテリアルさん:03/06/05 12:22
>>183

うざい。まずはお前から鍛えろ。

185 :名も無きマテリアルさん:03/06/05 14:14
レーザーで希ガス電離してイオン化して
それを協力な磁場で加速してターゲットに叩きつける
蒸着装置ってないの?
どうもレーザーだけで飛ばすのって、しっくりこないんだけど

186 :動画直リン:03/06/05 14:23
http://homepage.mac.com/hitomi18/

187 :名も無きマテリアルさん:03/06/05 14:52

貼りまくってやっーと月40万円稼いぎましたwww。

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自分でリンクを貼るより紹介者を集めた方が効率が良いようです。
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188 :名も無きマテリアルさん:03/06/06 20:14
>>185
イオンビームスパッタはどう?
むしろ素直にスパッタリングはだめ?

189 :CPCD:03/06/09 00:31
汚れを落とすことだけを考えずに、
汚れがつかない方法を考える。
最初から金蒸着する。
反応しない。


190 :カラスミキング:03/06/09 04:44
PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)の薄膜でしたら
水熱合成法がいいんじゃないですか?
桐蔭横浜大や東工大で研究してるらしいですよ〜
なんでも24hで10μmの薄膜をつくれるらしい。

191 :名も無きマテリアルさん:03/06/10 00:07
>>176
洗浄は、必ず 基板にダメージをあたえます。したがって、どの程度の
ダメージが許容できて、最終的にどのような表面が必要かを考えて
洗浄法を選択することが必要です。
基板として どの周期の粗さが重要なのかを考えて洗浄することが必要です。
目標を抜きにしては語れませんよ。

研磨してそれほど経っていないSiウェファなら大抵の用途には何もしない
方がきれいだったりします。ただ 保存が悪いと(パッケージを開けなくても)
半年も経つといろいろと問題が起きますが...



192 :あぼーん:あぼーん
あぼーん

193 :名も無きマテリアルさん:03/06/10 22:43
基板洗浄をいく通りもやって毎回SEMで表面観察して
それを、JJAPに大作の論文に投稿してるのを幾度となく
みてきました。

けど、読むの疲れるのでいつもその手の論文はresultしかみてません。
それと、今採用してる洗浄法は他の人がそうやって実験で最適と判断した
洗浄方を教えてもっらって、その実験で得た、独自の調合をした洗浄液
を使って、洗浄してます。

194 :名も無きマテリアルさん:03/07/01 15:45
MBEつかえたらローム内定するらしいんですが。。。

195 :あぼーん:あぼーん
あぼーん

196 :名も無きマテリアルさん:03/07/01 22:43
ローム行くたくねぇ。。。

197 :名も無きマテリアルさん:03/07/04 17:11
【1:637】★★★早稲田大学物質開発工学科《ブッカイ》★★★
http://science.2ch.net/test/read.cgi/material/1027510492/l50

知子タン…

■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■

http://ip.tosp.co.jp/Gm/TosGm100.asp?I=nomaken&P=0&CGP=1&NGP=259

ヘルペスらしい・・・
628 :ぼるじょあ ◆yEbBEcuFOU :03/06/21 11:57
(・3・) エェー とりあえずヘルペス女は補導だNA!

633 :名も無きマテリアルさん :03/07/04 04:42
スーパーフリフリでしょ
↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓
吉岡 知子さん 理工学部物質開発工学科
http://www.campuspark.net/missinternational2003/diary007/

198 :名無しさん:03/07/07 09:54
大学院で銅配線の実験を行っているものですが、
みなさんは、銅の基板はどのように保管していますか?
専用のケースや真空で保管したいところですが、
うちの研究室では、基板を包装紙にくるみ、机の中など乱雑に放置してあります。
銅は酸化などの問題がありますが、何日くらい放置しても大丈夫なのでしょう?

それと、自分にとって今一番悩ましい銅膜の配向性の問題なのですが、
(100)面と(200)面の関係(結晶の成長方向が同じって事くらいしか)
がわかりません(ToT)


199 :名無しさん:03/07/07 10:11
198番ですが(100)や(200)面はグレインサイズ、ストレス
との関連性はありますか?
また、これらに関する論文などはあるでしょうか?

200 :山崎 渉:03/07/12 12:26

 __∧_∧_
 |(  ^^ )| <寝るぽ(^^)
 |\⌒⌒⌒\
 \ |⌒⌒⌒~|         山崎渉
   ~ ̄ ̄ ̄ ̄

201 :山崎 渉:03/07/15 12:43

 __∧_∧_
 |(  ^^ )| <寝るぽ(^^)
 |\⌒⌒⌒\
 \ |⌒⌒⌒~|         山崎渉
   ~ ̄ ̄ ̄ ̄

202 :山崎 渉:03/08/15 18:55
    (⌒V⌒)
   │ ^ ^ │<これからも僕を応援して下さいね(^^)。
  ⊂|    |つ
   (_)(_)                      山崎パン

203 :名も無きマテリアルさん:03/09/06 02:20
>198
その質問はやばいだろ。とりあえずThompson@MIT
の論文でも読めば?彼はおそらく、世界最強。

204 :名も無きマテリアルさん:03/09/07 13:57
いろんな方法で薄膜作成を試みていますが
ジルコニア、酸化チタン、ステンレス、SiCの粉末を探しています
0.3〜1ミクロン位で、粒径のそろった物を探しているのですが・・・

205 :名も無きマテリアルさん:03/09/18 03:10
>>205
意図的に基板に傷でもつけるんでつか?(そんなわけない)

206 :名も無きマテリアルさん:03/12/19 18:18
スパッタ膜の成長についての論文を読んでるんだけど、
"atomic peening effect"がよくわからない・・・

つまりスパッタ時のAr圧が低下するとAr原子1つがもつエネルギーが
大きくなって、スパッタされる原子のもつエネルギーも大きくなるってこと?

207 :名も無きマテリアルさん:03/12/24 12:34
下がりすぎ

208 :名も無きマテリアルさん:03/12/25 09:09
結晶面って、(100)ってのと(001)ってのはZ方向と、X方向なんだけど、
蒸着とかのばあいって、やっぱZ軸方向に成長するから(001)のほうがええんやろか
と最近思う・・・。


209 :名も無きマテリアルさん:04/02/06 15:19
なんかあげとこ。

210 :名も無きマテリアルさん:04/04/22 00:43
EB蒸着でチタバリとか、マンガナイトとかの膜って作れます?
酸化物系だとPLDってイメージが強いんだが、教官ができるって言い張って困ってます。


211 :名も無きマテリアルさん:04/04/26 03:38
そらまあ、できないことはないでせう。ただショットの
パワーが小さいんで、酸素が抜けるような気はしますな。


212 :名も無きマテリアルさん:04/05/14 00:29
ageeee

213 :名も無きマテリアルさん:04/05/14 16:20
>>210
ストイキを保てないでしょう。
その教官はDQNですね。

214 :名も無きマテリアルさん:04/05/14 20:37
表面評価でAFM(原子間力顕微鏡)使ってる人、いる?

215 :名も無きマテリアルさん:04/05/17 02:51
AFM使ってるよ
でもウチのが安いせいか古いせいか知らんけど使う人によって値変わりまくり
同じ人がやっても日によって変わりまくり
同じ日に連続して計らんとデータの比較ができん

216 :学生さんは名前がない :04/05/17 22:15
アプローチの挙動が怪しいときのデータは全部無効だな。

217 :名も無きマテリアルさん:04/05/18 02:42
試料セコセコ用意してセッティングして、いざって時に取れなかったりするから嫌いだ
まあ俺が下手なんだろうけど

218 :名も無きマテリアルさん:04/06/14 16:32
銅薄膜をDCマグネトロンスパッタで成膜してるんだけど基板加熱すると膜が酸化するし
基板加熱しないと膜がすぐ基板から剥がれるし…

銅薄膜作ってる人ってどんな条件でやってます?

219 :名も無きマテリアルさん:04/06/16 18:08
普通にガラスとかに加熱なしで 1-10um くらい着けてますが…
厚いと表面の粗さは目立つけど、特に剥離とかはしませんよ。
だいたい Ar 1Pa, DC 100W くらいかなあ。

220 :名も無きマテリアルさん:04/06/20 13:12
酸化物のターゲットを使ってスパッタをやってるものなんですけど
ターゲットとバッキングプレートってどうやって接合してますか?

221 :名も無きマテリアルさん:04/06/21 02:46
>>218
てゆうか、加熱すると酸化するほど水だか酸素だかが多い装置で
まともに成膜できるの?
成膜レートにもよるけど不純物入りまくりのような気がするけど。

222 :名も無きマテリアルさん:04/06/22 23:12
ArガスにO2が混じってる・・・わけないか。

223 :名も無きマテリアルさん:04/07/03 16:53
     ,.r<弌ヾヾヾヾヾヾ`ト`、-、__
    /-ニニヘヾヾヾヾヾヾヾヾヾヾ`ー-、
   ./ー二e `゙ `゙ ゙`ヾヾヾヾヾヾヾヾ、シナヘ
  仁一彡       ゙、ヾ、ヾヾ ゙ヘイ〃メ入
  f‐ニ=ツ ,.'   - 、 __        チ彡ニ┤
  !彡ニヽ   ` ー -- 二 _ー_--    三ニ-}
  V;〃ラ  /〃ニー        ̄   メ二ーヲ
  ハテj   ,. ニ、  、    、tヘヾi、 ヾミニソ
  .l. レ   < (・) > .;  .;:'  ,.= 、   lミ,‐ヲ
  ! l   、  ̄  ,! .i  < (・) >   レ' ノ
  l ト 、  ` '"´ ,!  l  、  ̄ ,   : ,j
  `1゙ヽ      ,!  l   ` ´  ,.イ ,/
   l ';  ,.:' (´,、 ,. ヽヾ    ,.:' /`     
   .| ; ,:'   `   ´ ′ヽ  ,.' /     
     ! ; ,.'  _,,,_ __    ;  ;' /
    ',  ゙、"ー-ニニニ=ヽ  ,.' /
    ヽヾ `ー--'''ー-一''′ /
     `ヽ、    、 _ノ/
        ` ー--一''''"´
仙台の緑ヶ丘に住んでいる
わしの妹のところに無言電話をかけてくるやつは許さん
電話会社に盗聴させるぞ


224 :BAKAな学生:04/07/26 01:24
初めまして!知っていれば、どなたか教えて欲しいことがあるんですけど、
バルクPZT板をガラスの板にはさみ、研磨剤アルミナを用いて自らで
削るということは可能ですか??実際にやってみて段差計で測ったんですけど
平面性が悪くて。ウェハを研磨する場合だと、なにか装置を使って削るん
ですよね。どなたか知恵をお貸してください。お願いします!!


225 :名も無きマテリアルさん:04/07/26 22:02
PZTって強誘電体だよね?
これで何したいの?
赤外線のセンサでも作るの?

226 :名も無きマテリアルさん:04/08/25 19:54
>>198
基板を包装紙にくるみ、机の中など乱雑に放置してあります。

包装紙にくるんでるんですか?

227 :名も無きマテリアルさん:04/09/16 23:53:36
>>225
これからは、圧電性を利用するのがメインです

228 :名も無きマテリアルさん:04/09/26 00:28:10
>>218
剥離の問題については未解明の事も多いのですが、他でできて自分ができない
場合、一般的な事(基板洗浄等)に注意すればよいと思われます。
装置の構成にもよりますが、例えば base pressure が甘いため剥離する人
もよく見かけます。また、マグネトロンといえどスパッタ中の温度上昇を
測定しないことが、与えたパラメータと熱の影響を誤った認識でとらえ、
結果として実験手法を間違える方も多くいらっしゃいます。理論を学ぶ
事は大切ですが、まずは薄膜作製における基本的流れを模倣してみるのは
いかがでしょうか?

229 :名も無きマテリアルさん:04/10/12 23:38:55
InGaAsの成長ってMBEでできる?

230 :名も無きマテリアルさん:04/12/11 16:54:45
突然すいません。
なんかここよくわからない専門用語ばかりなのですが、
薄膜プロセスって楽しいんですか?

231 :名も無きマテリアルさん:04/12/11 21:26:16
>>230
はまるよ〜、一生抜け出せないかも。

232 :230:04/12/11 23:03:53
体に悪いの・・・?

233 :230:04/12/11 23:08:48
例えばどういったところが魅力なのですか?

234 :名も無きマテリアルさん:04/12/12 22:11:44
hexaticについて教えてください。
いまいちよくわからん。

235 :名も無きマテリアルさん:04/12/15 12:59:30
アシストガンつきのイオンビームスパッタってかなりよさそうだと思う
レートとか面積とかは実際のところどうなんでしょう

236 :名も無きマテリアルさん:04/12/24 11:04:19
小原磨美 さん会報に載ってよかったですね〜ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_ξ_いい年齢こいて・・・オバンが。

237 :名も無きマテリアルさん:05/01/26 13:47:34
量子ドットってナンダ?!
研究室の紹介でそんな言葉を聞いたのですが・・・

238 :名も無きマテリアルさん:05/02/01 17:18:44
量子ドットはすごく小さい結晶です。
と、先日の授業で先生に聞きました。
それって位置の制御が難しいらしいのですが、
位置の制御ができたらどう素晴らしいのでしょうか?
詳しい人いますか?

239 :ririkara:05/02/11 11:59:59
GaN系化合物半導体層表面に凹凸(幅・高さ0.5μサイズ)付ける方法教えてよ

240 :名も無きマテリアルさん:05/02/15 01:32:42
AFMのカンチレバーでゴリゴリっと…(^_^;)

241 :名も無きマテリアルさん:05/02/15 01:54:17
AFMで500nm程度の凹凸は厳しくないか?
大きすぎ。

FIBとかの加工じゃ駄目なの?
時間はかかるが。

242 :名も無きマテリアルさん:05/02/17 01:19:52
富士通とかFESTA(今はもうないが・・・)はAFMで20nmくらいの
選択的に酸化させる技術あるよね。でエッチングして再成長で
量子ドットの位置制御やってたけど。

243 :名も無きマテリアルさん:05/02/21 03:52:34
基板上に成膜した薄膜をエッチングして3次元構造を作るっていうような
ことを卒論でやっていました。
中間発表会のときに別の研究室の理論屋さんの助手から
最初っからそういう形に成膜すればいいじゃん
と言われた。本人は笑いをとったつもりらしい。

244 :名も無きマテリアルさん:05/02/21 23:38:32
111面のピラミッドを成長してその上にドットを作るとか良くあるよな。


245 :名も無きマテリアルさん:05/02/23 00:32:44
薄膜への下地層付加による保磁力増大の原理を
知ってる方いたら教えてください

246 :名も無きマテリアルさん:05/02/24 14:50:26
保磁力増大?

247 :名も無きマテリアルさん:05/03/11 14:10:58
バッファーつけた目的は?

248 :名も無きマテリアルさん:05/03/13 17:17:56
卒研でMPCVDで薄膜を作成する実験をやることになったんですが

原料にフッ素が含まれているため対向電極の銅が
腐食される問題を何とかできないかと考えています。
何かいい知恵があったらお貸し願えませんか?

249 :名も無きマテリアルさん:2005/04/27(水) 00:05:35
電極の材質かえろ

250 :名も無きマテリアルさん:2005/04/27(水) 23:03:58
>>243
有機分子では自己整合とかもあるし。一概に理論屋の助手の
いうことがおかしいとはいえない。ま、この場合はおかしいけどな。
一応研究と名のつくことをやるんなら、エッチングで作るような
至極当たり前のことでなく、なんか新しい手法で構造を作るような
ことを考えられるようになりたいものだ。

251 :名も無きマテリアルさん:2005/08/31(水) 17:28:42
スプレー法

252 :KAP:2005/09/05(月) 21:37:22
KAPを用いた配向性薄膜の作成法を知っている人がいましたら教えてください。悩んでいます。

253 :名も無きマテリアルさん:2005/09/07(水) 19:25:02
スプレー

254 :名も無きマテリアルさん:2005/09/08(木) 18:30:57
なんでゾルゲルはなんや?

255 :ゆう:2005/09/09(金) 08:31:05
フタル酸水素カリウム結晶ををガラス基盤に配向させた後、その上に有機物を配向させたいのですが、フタル酸水素カリウム(論文ではKAPと略されていました)を配向させる方法が分かりません。誰か、助言をお願いします。

256 :& ◆xWh2ZLVRdc :2005/09/16(金) 12:00:04
>239
採算度外視でやるならエキシマレーザーで可能


257 :名も無きマテリアルさん:2005/09/17(土) 21:53:18
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258 :名も無きマテリアルさん:2005/09/18(日) 11:57:25
卒研で銅フタロシアニン薄膜の単分子膜
を作っているんですが、膜厚計がなくてどのく
らい蒸着していいのか分かりません。真空度、
昇華温度等にもよると思いますが、
助言よろしくお願いします。

259 :名も無きマテリアルさん:2005/09/18(日) 23:06:55
膜厚計も何もないのに薄膜を蒸着で作製しようと言う企画がダメ。
そもそもどうやって膜を評価するつもりなの?

260 :名も無きマテリアルさん:2005/09/20(火) 00:39:37
酸化物超伝導体YBCOの薄膜だって蒸着で作ってるんだから出来るだろ!
 組成の制御が難しいんだよねこれが・・・ 


261 :名も無きマテリアルさん:2005/09/27(火) 15:17:35
産業応用性とか実用性のある金属薄膜って言ったら何がありますかねえ?

262 :名も無きマテリアルさん:2005/09/28(水) 05:56:05
薄膜ってどれ位までの厚さのことをいうんですか?

263 :名も無きマテリアルさん:2005/09/28(水) 13:56:22
薄膜ポリマーって破裏拳ポリマーみたいだよな

264 :名も無きマテリアルさん:2005/09/30(金) 01:49:02
>>262
特に定義はないと思うけど、感覚的には1μm未満、
都合により、10μm弱あたりまで使ってたりするけど。

265 :名も無きまてりある:2005/10/03(月) 11:19:18
はじめまして。
CuPcとF16CuPcの配向の比較をしてみようと試みておりますが、フッ素が付加されたことで違いが出るでしょうか?
アモルファスではちょっと…。

266 :名も無きマテリアルさん:2005/10/16(日) 01:42:34
窒化物の製膜には、超高真空でなければいけないらしいのですが、その理由がよくわかりません。
このことについてご存知の方いらっしゃいましたら教えていただけますでしょうか。
単に酸素や水素分子が存在すると、そちらと反応してしまうから、という理解でよろしいのでしょうか?

267 :名も無きマテリアルさん:2005/10/16(日) 01:58:46
>>266
おいおい、CVDはどうすんだよ・・・。

268 :名も無きマテリアルさん:2005/10/17(月) 01:01:54
スパッタ成膜で、
膜が柱状構造(多結晶)になる場合、
アモルファスにするには、一般的には、
圧力やパワーをどう振ればいいんでしょうか?
あと、単結晶にする振り方も教えてください。

269 :名も無きマテリアルさん:2005/10/25(火) 10:37:31
>>262,264
分野によると思う.
うちでは100nmこえると厚膜って感じがする.
量子効果デバイスとかの超薄膜を扱う人たちは数十nmでも厚いイメージ.
いちいち超つけたりしないから,薄膜というと数nmを指す.
「一般的」ってのは無いんじゃないかなぁ.

270 :名も無きマテリアルさん:2005/12/21(水) 02:04:44
結晶がエピタキシャル成長すると
(薄膜をデバイスと使用する際に)何か良いことがあるんでしょうか。
ご教授お願いします。

271 :名も無きマテリアルさん:2005/12/21(水) 13:00:25
たとえば絶縁膜の場合、中途半端な結晶化はグレイン構造による絶縁性低下を
起こすことから回避され、アモルファス膜を使うのが常識です。これに対し、
完全な単結晶エピ膜は、絶縁性、界面特性の観点からアモルファスや多結晶より
も有利なのは明らかですよね。

ちなみに「結晶がエピタキシャル成長する」という表現はおかしい。原子また
は分子がエピタキシャル成長して結晶になるんだから。結晶にならない場合の
方が多いけど。その場合はエピタキシャル成長とは言わないですね。

272 :名も無きマテリアルさん:2005/12/21(水) 23:52:03
薄膜での結晶成長でエピタキシャルというと、結晶基板の方位と
整合して膜の結晶方位も特定の向きになることを言う…のだと
思っていました。

ので、エピタキシャルではない結晶薄膜もありうるので、自分は
「結晶がエピタキシャル成長する」と言っても、間違いだとは
言い切れないなあ。まあ確かに違和感はあるけども。多結晶膜や
配向膜を「結晶膜」に含めるかどうかの違いですかね。

273 :名も無きマテリアルさん:2005/12/24(土) 04:13:38
もう一回くらい大学にもどって薄膜作りたいなぁ・・・・
俺があの研究室ではじめて単結晶膜の作成に成功したときは教授も喜んでくれた
会社はつまんね

あいつらちゃんと研究進めてるかな・・・テーマ打ち切ってたら笑えるわ・・・

274 :名も無きマテリアルさん:2005/12/25(日) 22:22:18
ガス流さないでスパッタしようしたのは漏れくらいだろう
今となればいい(?)思い出

スレ違いすまそ

275 :名も無きマテリアルさん:2005/12/25(日) 23:36:46
レーザーーー

276 :名も無きマテリアルさん:2006/01/02(月) 07:55:32
>>265
恐ろしく遅レスだが出ると思うよ.
実際にVOPcとF16VOPcでは配向に違いがでる.
むしろ ,既存論文の検索をしたほうがいいと思われ.すでにやられている可能性大.

277 :名も無きマテリアルさん:2006/01/30(月) 17:24:08
Aerosol Jet Etching and Cleaning
ってどういうものなんですか?

278 :名も無きマテリアルさん:2006/02/15(水) 04:25:12
プラズマCVDでの膜質に関わる相関関係を示したいい資料どこかにありませんか?
SiH4酸化膜、TEOS酸化膜の成膜で、例えば膜厚均一性が悪いのは何が効いてるとか、
ストレス(反り)が小さいのはLFが弱いからとかの関係資料。
処理室の構造なんかでも変わるでしょうが、大まかなもので結構です。

279 :名も無きマテリアルさん:2006/02/20(月) 17:03:01
HOPGへきかいする時にセロハンテープ
でやると凄く粗くなるんですが、セロ
ハンテープじゃだめなんですか?

280 :名も無きマテリアルさん:2006/02/21(火) 21:37:27
どなたか知ってる人いたら教えてください…

今酸化皮膜作ってるんですが、試料の表面仕上げの違いで
表面に皮膜が付くものと付かないものがあるんです。

一つが鏡面仕上げで、もう一つが400番まで湿式研磨した炭素鋼です。
溶液はアルカリ溶液です。

やっぱ表面電位の違いとかそんな感じですかね?


281 :名も無きマテリアルさん:2006/04/23(日) 22:41:52
あげ

282 :名も無きスパッタさん:2006/05/02(火) 11:28:25
AL系スパッタ装置でグレインのコントロールがうまくいきません。
基本的なレシピの振りは色々試したのですが何かよい策は無いでしょうか。
Al-Cu、Al-Si等です。

283 :sage:2006/12/17(日) 23:19:41
age

284 :名も無きマテリアルさん:2007/05/03(木) 22:06:57
進工業って薄膜電子部品のトップメーカーなんですか?

285 :名も無きマテリアルさん:2007/05/29(火) 19:35:28
>>ガス流さないでスパッタ
どうなったの?壁面溶けた?

286 :名も無きマテリアルさん:2008/02/14(木) 17:32:55
high sp3 fraction film
これどうやって訳せばいい?

287 :名も無きマテリアルさん:2008/02/14(木) 21:24:38
C 系の膜で sp3 結合の割合が多い膜ちうことなんでねか?


288 :名も無きマテリアルさん:2008/02/16(土) 01:45:32
教えて厨でスミマセン。
真空蒸着で、使用する基板はPMMA 
これにSiO2を蒸着してみたいのですが
やってみた方いますか?


289 :名も無きマチリアルさん:2008/05/22(木) 05:46:12

392 :Appellation Nanashi Controlee:2008/05/20(火) 02:34:04 ID:e58SyeEK

「ここはワイン板だから」と、ワイン板であることを根拠に寝言を言ってるワイン板
新参者のチミ! オマエさんがいるのは、サイゼリヤスレなんだぜ?
ワインの話なんか無くたって、食い物やビールの話題が延々と続いてもOKなのは、
言ってみればこのスレの伝統そのもの。文句があるのなら、 >1を百遍読み直すべき。
ま、言ってみれば、板ルールなどクソ喰らえの治外法権スレだな。香港にあった九龍城
みたいなもん。
これまでも正論を模した荒らしに耐えてきたし、今後も好きなようにやらせて
もらうよ。ここは俺たちの「サイゼリヤスレ」なんだよ。これは永遠に変わらないし、
ワイン板でやらせてもらうことも変わらない。文句があるならこのスレを汚さないで、
自治スレにでも書き込んでくれ。あまり俺たちを本気にさせないでほしいな。

http://food8.2ch.net/test/read.cgi/wine/1209713858/l50x

290 :名も無きマテリアルさん:2010/05/26(水) 12:36:10
保守

291 :名も無きマテリアルさん:2010/06/10(木) 04:12:34
PLDの条件出しやりたくないです助けて下さい

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