有機トランジスタ(OFET)ってどう？

1 ：Nanashi_et_al.：：2006/02/01(水) 00:04:58

最近流行のOFETについて語りましょう。
無機を超える日は来るのでしょうか？

まだまだ道は長い。

213 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/01(月) 13:31:03

単チャネル化と低電圧駆動ってあんま関係なくね？

214 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/02(火) 22:28:33

低い電圧でより大きな電流流したいんでしょ。
ELみたいに電流使うなら短チャネル化は必須でしょう。

215 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/22(月) 22:18:22

なんで応物であんなにすごい人が集まるんですか？
本当に実用化を考えてる人はどのくらいいるんだろ。

216 ：名も無きマテリアルさん：2007/10/23(火) 00:51:12

過去の経験から、応物に人が集まるようになってから実用化まで、運が良くても
５〜１０年かかるのでは？

217 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/01(木) 22:54:07

外野なのでわからないんすが、有機にする意味って何？
フレキシブル、・・・・だけ？　
何もそこまで素性の悪い材料使わなくても、という気が・・・。

218 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/03(土) 00:34:35

>>217
大面積にするほど相対的に安くなる。
なんと言っても密度が軽い。
化合物としてはカスタマイズが容易にできる。・・・研究にはよい。
今のところ目新しい。・・・研究には良い

219 ：217：2007/11/05(月) 23:43:34

ナルホド。ありがトン　>218
塗布・印刷法以外で作る有機トランジスタは、価値少ないってことだな。

220 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/07(水) 15:11:02

蒸着のほうが総合的に見て安く付くって材料も多いけどね。
金属配線もペーストでガンバッテ精度出して、フィルム基板の耐熱温度ぎりぎりで
ガンバッテ焼くくらいならマスク蒸着のほうが早いし安い。

221 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/13(火) 19:48:48

http://www.itmedia.co.jp/news/articles/0711/13/news098.html

222 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/13(火) 22:11:55

>>221
去年エプソンが似たような発表をしているけどどう違うのか興味あるね。
結局シリコン焼成温度500℃とかだったりして。

223 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/13(火) 23:49:56

>>222
同感。
これで200℃以下で焼成だったらけっこうすごいけど・・また詳細わかったらおしえてよ。
＞221

224 ：名も無きマテリアルさん：2007/11/26(月) 21:19:46

TGTCの特性でねぇよorz
パリレン腐ってんのかな

225 ：高専生：2007/12/08(土) 20:29:31

CﾓｽICを用いたﾏﾙﾁﾊﾞｲﾌﾞﾚｰﾀの発振周期を求めよって宿題あるけど全然わからん

226 ：名も無きマテリアルさん：2007/12/09(日) 16:55:35

応物の常設テーマになるのか。

227 ：名も無きマテリアルさん：2007/12/10(月) 00:35:35

>>226
みたいだねえ。
このペースで、10年やれば、絶対モノになりそう。
これから立ち上がるものってのは、ほんとわくわくする。
生きてる内にどこまでみれるかわからないけど、おうぶつも盛り上がりを期待したい。

228 ：名も無きマテリアルさん：2007/12/29(土) 09:57:16

>>225
今月の月刊トランジスタでも見てみたら？

229 ：名も無きマテリアルさん：2008/01/05(土) 11:05:08

今年はどんな展示品がみれるか楽しみだな

230 ：名も無きマテリアルさん：2008/01/23(水) 22:22:20

あんま関係ないけど、10何年前のサンプルを残してなかったら
捏造呼ばわりされる世界ってすごいな。
こちとら、1ヶ月前のサンプル残す意味だって怪しいのに。

231 ：名も無きマテリアルさん：2008/01/28(月) 23:14:18

まあ、すぐ腐るからねえ。
おいしいサバだったんですよ。そのときは本当に
おいしかったんですよ。としかいえない。
今はただの腐った魚だけどな。

232 ：名も無きマテリアルさん：2008/01/29(火) 17:18:36

基板にPETとかPEN使ってる人いる？
Siとか石英ガラスに比べて表面が凸凹で使えねぇって聞いたんだけど
電極蒸着さえきっちりやってやれば、凸凹ってなくなるものなの？

ついでに、現在絶縁層にPVPhに架橋剤混ぜて使ってるんだけど、
溶媒によって特性って大きく変わるの？

知ってる人がいたら教えてくださいな！

233 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/02(土) 01:16:19

>>232
まあ、無機基板に比べるとラフネス大きいけど、デバイス作れてる。
電極蒸着しても、下の凹凸は拾うし、そこは割り切って使う。


で、PVPだけじゃないけど、溶媒によっては絶縁膜がうねったりして特性落ちたりするな。
たぶんアルコール系か水だろうけど、
高沸点溶媒だと、残留溶媒とかもあり得る。
つまりは粘性と沸点の問題が大きいかな。

234 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/02(土) 05:51:43

PVPはばらつきおおきくならない？？

235 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/03(日) 21:53:11

ポリマー絶縁膜全般結構ばらつくね。SiO2なんかと比べるとだけど。

236 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/04(月) 20:57:34

やっぱりそうだよね・・・
オール有機は、情報少な過ぎて、開発スピードが遅すぎ。
なんとかならんだろか？

237 ：232です：2008/02/17(日) 01:16:26

使ってる溶媒はPGMEAってやつです。
架橋してないPVPにはイソプロパノール使いました。

架橋してないPVPに比較して架橋したPVPはソース・ドレイン電流飽和が異常に出にくい状況です。

有機半導体はP3HTなんで飽和が出ないことがチョクチョクあるのはわかるんですが、
架橋したPVPのほうが機械強度が上昇してるので薄く製膜できてるのに飽和が出にくくなる
理由を具体的に知ってる人いませんか？

ちなみにガラス基板でP3HTトランジスタ作ったら、移動度13cm2/Vsでた〜〜！
完全に間違い決定なので削除しましたが、教授に報告したら学会決定しそうww
バレないように完全消去決定しました。

238 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/17(日) 01:38:36

>>180
あそこはねぇ・・・

239 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/17(日) 10:10:57

CNTトランジスタについてはどうおもう？
移動度は高そうだが。。。

240 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/17(日) 10:46:11

>>239
すごく欠陥の少ないCNTを比較的短チャンネルで使えば移動度（この概念当てはまらない
けど）は高くなるよ。でも、有機TFTと同じ感覚で適当にばらまいた欠陥と不純物だらけ
のやつをTFTにしても移動度はP3HTに劣る。
まずは、低欠陥の半導体チューブだけを高純度に精製する方法でも研究してくれ。

241 ：名も無きマテリアルさん：2008/02/17(日) 13:14:18

でも，適当な有機半導体のマトリックスにきちんと配向させて
ばらまいた時の移動度は反則だと思った．文字通りドーピング．

というか，最近の炭素半導体の流行りはグラフェンじゃないの？
CNT FETより作るの簡単そうだし．

242 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/13(土) 16:59:46

半年ぶりage

243 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/13(土) 19:10:58

あげるってことは、何か新ネタあるのか？

244 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/22(月) 01:58:29

>>241
グラファイト薄膜FETを作るのは簡単だが、グラフェンFETを作るのは難しいぞ。

245 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/22(月) 21:59:27

データ見たけど、FETというには？？？な感じだった。

246 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/23(火) 00:14:12

>>244
今はどうやって作ってるんでしょうか？

材料いじってるんで、
前駆体を加熱したらグラフェンになるような、
塗布溶液を周囲にナイショで開発してみっかな。
ニーズがあるのかさえも検討つかんが・・・

ところで、昨日の新聞に載ってた
超低電圧駆動するイオン液体使ったOFETはどうよ？
特に興味なし？

247 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/23(火) 16:53:52

>イオン液体使ったOFET
うーん、ああいうのって実用化はどうなんだろう。
同じようなことは無機半導体でも可能だけど、それが使われている例は知らないな〜。
LSIで使っているようなhigh-k絶縁膜とどちらが安くて歩留まりいいかで勝負かな。

248 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/23(火) 21:42:37

>>246
FETよりはITOの代替でも狙ってればいいんじゃないか？

絶縁膜にイオン液体の奴は、基礎研究としてはいいが、
何かの役に立つとは思えない。
そこまでして移動度なんか100もでないわけだし・・・

249 ：名も無きマテリアルさん：2008/09/24(水) 12:04:51

>>244
グラフェンの薄膜ならグラファイトをセロテープでぴっと剥がせば作れる．
そこら辺もノウハウがあるんだろうが，
問題は無限に広がったグラフェンはバンドギャップが0ってことで，
ナノサイズに切り刻まないといけないってことかな．

>>246
電解液を絶縁膜として使う研究ってミネソタとかでもやってるけど，
結局実用上は色物と言うレベルから脱してない．

あと，キャリア密度は高くとれるけど，
応答速度がとれないのがある種の用途には致命的なんではないかと．

250 ：名も無きマテリアルさん：2008/10/05(日) 08:33:32

NECがそのへんの研究発表してなかった？
名前は忘れてしもた・・

251 ：名も無きマテリアルさん：2008/12/06(土) 16:28:42

研究室配属で有機ＦＥＴやろうか迷ってるんですが未来はありますか

252 ：名も無きマテリアルさん：2008/12/06(土) 16:46:35

君次第さ！

253 ：名も無きマテリアルさん：2008/12/06(土) 19:29:06

>>251
ここ数年は飯食うのに困らなさそうだけど、その後はわからんなぁ。
製品になれば、それこそ引く手あまただし、ぽしゃれば路頭に迷う。

254 ：名も無きマテリアルさん：2009/04/18(土) 22:20:33

有機TFTの真の実力は学会を見ていても分からない。企業は数年前のデータしか発表しないのだから。

255 ：名も無きマテリアルさん：2009/04/19(日) 00:09:03

久々に上がったので、何があったのかと思ったら、ただのチラ裏か。
どうせなら、真の実力はどこが持っているのか、裏情報やらガセ情報やら
投げてよ。

256 ：名も無きマテリアルさん：2009/04/20(月) 01:10:11

>>254
まだ、企業よりも大学の方が
進んでるように見えるのは俺だけ？

2年前のデータで比較しても
大学に軍配が上がると思うんだけど・・

257 ：名も無きマテリアルさん：2009/06/03(水) 01:08:51

>>

258 ：名も無きマテリアルさん：2009/06/03(水) 01:09:41

>>256
研究室にはその研究室独自の特徴があるから，
そこで比べれば企業より進んでいると俺も思う．

ただ片っ端から材料当たったり，もしくは構造変えたりとか，
人数で勝負みたいな感じになれば，企業に軍配があがるかもね．

259 ：名も無きマテリアルさん：2009/07/03(金) 08:44:34

この女とhttp://www.cnbs.jp/koushi.html

260 ：名も無きマテリアルさん：2009/07/17(金) 01:35:46

ああ

261 ：名も無きマテリアルさん：2009/09/01(火) 02:53:21

次世代TFTの本命
ttp://techon.nikkeibp.co.jp/article/COLUMN/20090817/174277/?ST=fpd

262 ：名も無きマテリアルさん：2009/11/07(土) 01:38:38

>>261みたいな発言するPDを思い出した